Tiheysfunktionaaliteorian sovelluksia metalli-puolijohdeliitosten, reaktiopolkujen ja hapetustilojen mallinnuksessa
Väitöstilaisuuden tiedot
Väitöstilaisuuden päivämäärä ja aika
Väitöstilaisuuden paikka
Linnanmaa, sali IT116
Väitöksen aihe
Tiheysfunktionaaliteorian sovelluksia metalli-puolijohdeliitosten, reaktiopolkujen ja hapetustilojen mallinnuksessa
Väittelijä
Master of Science Sergei Posysaev
Tiedekunta ja yksikkö
Oulun yliopiston tutkijakoulu, Luonnontieteellinen tiedekunta, Nano- ja molekyylisysteemien tutkimusyksikkö
Oppiaine
Teoreettinen fysiikka
Vastaväittäjä
Associate Professor Marcel H. F. Sluiter, Delft University of Technology, The Netherlands
Kustos
Professori Matti Alatalo, Oulun yliopisto
Uusien puolijohdemateriaalien laskennallinen mallinnus
Työssä on tutkittu kahden eri modernin puolijohdemateriaalin ominaisuuksia ja mahdollisia sovelluksia laskennallisilla menetelmillä.
Molybdeenidisulfidi on kerrosrakenteinen puolijohtava materiaali, jolla on sovellusten kannalta kiinnostavia ominaisuuksia, mutta sen liittäminen metallisiin johteisiin on ollut ongelmallista. Väitöskirjassa on yhdessä kokeellisen ryhmän kanssa ratkaistu tämä ongelma ja osoitettu, että näin saadulla materiaalilla on hyödyllisiä ominaisuuksia, joita pelkällä molybdeenisulfidilla ei ole.
Työn toisessa osassa on koneoppimista käyttäen tarkasteltu varaussiirtymien ja hapetustilojen välistä yhteyttä. Tähän tarkoitukseen kehitettyä menetelmää on sovellettu erityisesti titaanidioksidiin, joka on niin ikään monikäyttöinen puolijohdemateriaali.
Molybdeenidisulfidi on kerrosrakenteinen puolijohtava materiaali, jolla on sovellusten kannalta kiinnostavia ominaisuuksia, mutta sen liittäminen metallisiin johteisiin on ollut ongelmallista. Väitöskirjassa on yhdessä kokeellisen ryhmän kanssa ratkaistu tämä ongelma ja osoitettu, että näin saadulla materiaalilla on hyödyllisiä ominaisuuksia, joita pelkällä molybdeenisulfidilla ei ole.
Työn toisessa osassa on koneoppimista käyttäen tarkasteltu varaussiirtymien ja hapetustilojen välistä yhteyttä. Tähän tarkoitukseen kehitettyä menetelmää on sovellettu erityisesti titaanidioksidiin, joka on niin ikään monikäyttöinen puolijohdemateriaali.
Viimeksi päivitetty: 23.1.2024